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IOP Science:分子束外延生長(zhǎng)PbTe納米線

 更新時(shí)間:2023-05-23 點(diǎn)擊量:777

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主要內(nèi)容

量子技術(shù)的進(jìn)步來(lái)自于發(fā)現(xiàn)提高電子器件性能和功能的新材料系統(tǒng)。碲化鉛(PbTe)是IV–VI材料家族的一員,擁有可探索的未知潛力。由于其高電子遷移率、強(qiáng)自旋軌道耦合和超高介電常數(shù),它可以容納少量電子量子點(diǎn)和彈道量子線,并有機(jī)會(huì)控制電子自旋和其他量子自由度。

在這篇文章中,研究團(tuán)隊(duì)報(bào)道了如何通過分子束外延制備PbTe納米線。實(shí)現(xiàn)了適用于量子器件的無(wú)缺陷單晶PbTe,具有高達(dá)50的縱橫比。此外,通過制造單個(gè)納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)了雙極傳輸,提取帶隙并觀察電導(dǎo)的Fabry–P′erot振蕩及準(zhǔn)傳輸?shù)奶卣鳌?/span>


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其中由巨力光電代理的 kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀 在研究過程中提供測(cè)量實(shí)時(shí)溫度


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文獻(xiàn)信息

Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy

Sander G Schellingerhout, Eline J de Jong, Maksim Gomanko, Xin Guan, Yifan Jiang, Max S M Hoskam, Jason Jung, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, Marcel A Verheijen, Sergey M Frolov and Erik P A M Bakkers